Efecto de Ciclos de Stress Térmico hasta el Régimen Criogénico Profundo en Resistencias CMOS Integradas

Autores/as

  • Yago Esquíroz-Olloqui GDE-I3A
  • Jorge Pérez-Bailón
  • Santiago Celma
  • Carlos Sánchez-Azqueta

DOI:

https://doi.org/10.26754/jji-i3a.202511961

Resumen

La integración de la electrónica de control en entornos criogénicos con tecnología CMOS es actualmente la solución más prometedora para escalar la cantidad de qubits en procesadores cuánticos. Este estudio evalúa el comportamiento de resistencias de polisilicio frente a ciclos térmicos de temperatura, confirmando su estabilidad hasta 4 K sin degradación apreciable. Los resultados respaldan su uso en sistemas para computación cuántica operando a temperatura criogénica.

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Publicado

2025-07-28

Número

Vol. 13 (2025): Actas de la XIV Jornada de Jóvenes Investigadores e Investigadoras del I3A - 25 de junio de 2025

Sección

Artículos (Tecnologías Industriales)

Licencia

Derechos de autor 2025 Yago Esquíroz-Olloqui, Jorge Pérez-Bailón, Santiago Celma, Carlos Sánchez-Azqueta

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Cómo citar

Esquíroz-Olloqui, Y., Pérez-Bailón, J., Celma, S., & Sánchez-Azqueta, C. (2025). Efecto de Ciclos de Stress Térmico hasta el Régimen Criogénico Profundo en Resistencias CMOS Integradas. Jornada De Jóvenes Investigadores Del I3A, 13. https://doi.org/10.26754/jji-i3a.202511961